武汉存储扩产计划曝光：长江存储产能翻番 砸2600亿剑指全球第三
2026年05月01日 11:40 次阅读 稿源：快科技 条评论
武汉近日发布2026年重大项目规划，380亿美元（约合人民币2600亿元）存储半导体扩产计划宣告落地。扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻3D NAND与DRAM两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计2026年底投入量产，2027年达成月产能5万片的阶段性目标。
长江存储三座新厂全面达产后，总产能较现有水平提升超过100%，出货量有望超越SK海力士和美光，剑指全球NAND闪存第三席位，仅次于三星和铠侠。
武汉新芯同步推进三期扩产，总投资280亿元。武汉新芯深耕NOR Flash特色工艺，是国内规模最大的NOR Flash芯片制造厂商，目前拥有两座12英寸晶圆厂，每座月产能超3万片。
产能翻番的背后，是AI算力对存储芯片的需求加大。TrendForce最新数据显示，单台AI服务器对DRAM的需求是传统服务器的8倍，对NAND Flash的需求是3倍。
高盛预测2026年全球DRAM供需缺口将达4.9%，为15年来最严重。而原厂产能爬升需要12至18个月，供需缺口短期内难以填平。
存储芯片价格在AI需求的持续拉动下大幅上涨，产业链企业的业绩同步兑现。其中佰维存储2026年Q1实现营业收入68.14亿元，同比增长341.53%；归母净利润28.99亿元，相当于2025年全年净利润的3.3倍。
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