4F架构全球首产 三星突破DRAM物理极限

2026年04月24日 19:13 次阅读 稿源：快科技 条评论

据报道，三星电子全球首次成功产出了基于4F²架构的DRAM工作晶圆，一举突破了传统平面DRAM长期面临的物理微缩极限。据悉，今年2月，三星已在ISSCC 2026会议上首次公开展示了这颗融合4F²架构的16Gb DRAM原型。

三星3月运用10a工艺完成晶圆生产，并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。

技术上，4F²架构将传统DRAM的单元面积从6F²缩减为2F×2F正方形结构，理论上可提升单位面积容量30%至50%，同时兼顾速度与功耗优势。

为实现这一结构，三星引入了VCT技术，将晶体管沟道垂直树立，在有限芯片面积内增加沟道长度，有效缓解传统平面晶体管在微缩时遭遇的短沟道效应与漏电问题。

另一方面，三星采用了晶圆间混合铜键合技术，将存储单元阵列与外围电路在不同晶圆上分开制造再垂直堆叠，实现超高密度互联。

通道材料也从传统硅换为铟镓锌氧化物（IGZO），以在缩小单元中抑制泄漏电流。

未来同尺寸DRAM芯片可以塞进更多单元，轻薄本、智能手机等终端设备有望在小体积、低功耗前提下，获得更大内存容量和更快数据吞吐速度。

三星为此规划了清晰的路线图——2026年完成10a DRAM开发，2027年开展品质测试，2028年转入量产。

SK海力士计划在10b节点引入4F²+VCT，美光则维持现有设计路线，中国厂商因EUV受限直接布局3D DRAM。

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