赶超SK海力士梦碎：三星猛冲高端内存 却栽在基础良品率上

三星在高端内存领域的追赶步伐遭遇重大挫折。由于关键基础技术D1d DRAM的良率未能达到内部设定目标，三星已决定无限期推迟下一代HBM5E内存的量产计划。此次出问题的D1d DRAM是三星第七代10纳米级工艺，原本是未来HBM解决方案的核心基础。按照规划，这项技术将被用在第九代HBM产品HBM5E上。