三星晶圆代工4nm芯片良率突破80% 有望正面迎击台积电

2026年04月29日 23:15 次阅读 稿源：cnBeta.COM 条评论

来自韩国的新报道称，三星晶圆代工（Samsung Foundry）在其4nm FinFET制程量产上取得关键进展，良品率已经突破80%，这意味着该制程正式进入工艺成熟阶段。这一节点被视为三星在先进制程领域追赶竞争对手台积电的重要里程碑。

报道指出，三星电子位于平泽园区的生产基地目前不仅量产5nm和7nm芯片，也已经具备向人工智能加速器、车用电子以及移动设备客户大规模供应4nm芯片的能力。随着全球科技巨头对高性能存储和运算芯片需求创下新高，这一进展将帮助三星在争夺订单方面与台积电展开更为直接的正面竞争。

三星晶圆代工现行的4nm制程，同时还是其第六代HBM4高带宽存储芯片所采用的基底芯片工艺。在AI训练和推理、数据中心以及高端显卡等场景，对HBM这类高带宽存储的需求持续上升，使得稳定且成熟的4nm工艺对三星整体半导体业务的战略价值进一步提升。

过去六年间，三星持续推进4nm芯片的大规模量产，当前良率突破80%被视为该制程迈入成熟阶段的标志，这有望在一定程度上缓冲近期记忆体价格飙升带来的冲击。报道预计，随着4nm产线良率和出货的提升，三星有望在今年下半年扭转因存储价格上涨而承压的盈利表现，推动半导体业务重新回到盈利轨道。

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